庫號:D396922
磁控濺射鍍膜平臺以您的鍍膜工藝出發(fā),理論計算和設計經(jīng)驗結合,合理的配置,合理的布局。全自動一鍵式操作。滿足科研所、教學機構或企業(yè)多品種、小批量產(chǎn)品研制的需求,高真空全無油系統(tǒng)。適用行業(yè):半導體晶圓、太陽能薄膜、SEM掃描電鏡分析等
◆ 適用膜料金屬類:金、銀、鉑金、鋁、銅、鈦、鉻、鈀、銠、鉑、鎳等各類金屬或合金
◆ 介質類:二氧化硅、三氧化二鋁、等
◆ 基底(襯底)尺寸: φ100(4英寸)或以下尺寸兼容
主要指標:
◆ 內腔尺寸(mm):φ400mm*H500mm;
◆ 真空:≤9×10-5 Pa(24 小時內);
◆ 恢復真空:常溫狀態(tài)下,真空室排氣由大氣至壓強5×10-3Pa,排氣時間≤25min;
◆ 基片烘烤,高溫度500℃,控溫精度≤±1℃;
◆ 設備漏率:≤1.0×10-9Pa*m3/s;
◆磁控濺射陰極:1~4個,靶面2英寸,可調角度,帶電動擋板;
◆靶基距:80~110mm可調;
◆充氣系統(tǒng):質量流量控制器2套;
◆膜厚監(jiān)控儀(選配):INFICON/SQC-310石英晶體膜厚儀一套;
◆基片偏壓系統(tǒng)(選配):可對基片施加大1000V負偏壓;
◆ 膜厚片內均勻性:≤±2%(電子束蒸發(fā)源制備Al2O3、SiO2兩種單層薄膜,延半徑方向均分十點測試);
◆ 膜厚片間均勻性: ≤±2%(批次內5片,每片取平均值);
◆ 膜厚批間重復性:≤±2% (連續(xù)3批,每批次取平均值) 。
控制程序:
◆ 一體化工控屏控制;
◆ 全自動一鍵式操作程序,保證鍍膜重復性;
◆ 采用excel文件編輯工藝參數(shù),軟件直接調用運行即可完成整個鍍膜工藝流程,無需額外操作;
◆ 軟件自動生成詳細的工藝過程運行記錄和鍍膜信息記錄;
◆ 記錄文件可回溯,歷史數(shù)據(jù)曲線可查看,時間期限為1年內;
◆ 膜層狀態(tài)界面可查看厚度、時間、速率、功率等鍍膜信息;
◆ 關鍵部件根據(jù)實際使用情況,有維護時間顯示,即節(jié)約成本,又便于維護;
◆ 完備的互鎖功能,防止誤操作;
◆ 程序設有三級權限,便于管理及維護。
磁控濺射鍍膜平臺以您的鍍膜工藝出發(fā),理論計算和設計經(jīng)驗結合,合理的配置,合理的布局。全自動一鍵式操作。滿足科研所、教學機構或企業(yè)多品種、小批量產(chǎn)品研制的需求,高真空全無油系統(tǒng)。適用行業(yè):半導體晶圓、太陽能薄膜、SEM掃描電鏡分析等
◆ 適用膜料金屬類:金、銀、鉑金、鋁、銅、鈦、鉻、鈀、銠、鉑、鎳等各類金屬或合金
◆ 介質類:二氧化硅、三氧化二鋁、等
◆ 基底(襯底)尺寸: φ100(4英寸)或以下尺寸兼容
主要指標:
◆ 內腔尺寸(mm):φ400mm*H500mm;
◆ 真空:≤9×10-5 Pa(24 小時內);
◆ 恢復真空:常溫狀態(tài)下,真空室排氣由大氣至壓強5×10-3Pa,排氣時間≤25min;
◆ 基片烘烤,高溫度500℃,控溫精度≤±1℃;
◆ 設備漏率:≤1.0×10-9Pa*m3/s;
◆磁控濺射陰極:1~4個,靶面2英寸,可調角度,帶電動擋板;
◆靶基距:80~110mm可調;
◆充氣系統(tǒng):質量流量控制器2套;
◆膜厚監(jiān)控儀(選配):INFICON/SQC-310石英晶體膜厚儀一套;
◆基片偏壓系統(tǒng)(選配):可對基片施加大1000V負偏壓;
◆ 膜厚片內均勻性:≤±2%(電子束蒸發(fā)源制備Al2O3、SiO2兩種單層薄膜,延半徑方向均分十點測試);
◆ 膜厚片間均勻性: ≤±2%(批次內5片,每片取平均值);
◆ 膜厚批間重復性:≤±2% (連續(xù)3批,每批次取平均值) 。
控制程序:
◆ 一體化工控屏控制;
◆ 全自動一鍵式操作程序,保證鍍膜重復性;
◆ 采用excel文件編輯工藝參數(shù),軟件直接調用運行即可完成整個鍍膜工藝流程,無需額外操作;
◆ 軟件自動生成詳細的工藝過程運行記錄和鍍膜信息記錄;
◆ 記錄文件可回溯,歷史數(shù)據(jù)曲線可查看,時間期限為1年內;
◆ 膜層狀態(tài)界面可查看厚度、時間、速率、功率等鍍膜信息;
◆ 關鍵部件根據(jù)實際使用情況,有維護時間顯示,即節(jié)約成本,又便于維護;
◆ 完備的互鎖功能,防止誤操作;
◆ 程序設有三級權限,便于管理及維護。
磁控濺射鍍膜平臺以您的鍍膜工藝出發(fā),理論計算和設計經(jīng)驗結合,合理的配置,合理的布局。全自動一鍵式操作。滿足科研所、教學機構或企業(yè)多品種、小批量產(chǎn)品研制的需求,高真空全無油系統(tǒng)。適用行業(yè):半導體晶圓、太陽能薄膜、SEM掃描電鏡分析等
◆ 適用膜料金屬類:金、銀、鉑金、鋁、銅、鈦、鉻、鈀、銠、鉑、鎳等各類金屬或合金
◆ 介質類:二氧化硅、三氧化二鋁、等
◆ 基底(襯底)尺寸: φ100(4英寸)或以下尺寸兼容
主要指標:
◆ 內腔尺寸(mm):φ400mm*H500mm;
◆ 真空:≤9×10-5 Pa(24 小時內);
◆ 恢復真空:常溫狀態(tài)下,真空室排氣由大氣至壓強5×10-3Pa,排氣時間≤25min;
◆ 基片烘烤,高溫度500℃,控溫精度≤±1℃;
◆ 設備漏率:≤1.0×10-9Pa*m3/s;
◆磁控濺射陰極:1~4個,靶面2英寸,可調角度,帶電動擋板;
◆靶基距:80~110mm可調;
◆充氣系統(tǒng):質量流量控制器2套;
◆膜厚監(jiān)控儀(選配):INFICON/SQC-310石英晶體膜厚儀一套;
◆基片偏壓系統(tǒng)(選配):可對基片施加大1000V負偏壓;
◆ 膜厚片內均勻性:≤±2%(電子束蒸發(fā)源制備Al2O3、SiO2兩種單層薄膜,延半徑方向均分十點測試);
◆ 膜厚片間均勻性: ≤±2%(批次內5片,每片取平均值);
◆ 膜厚批間重復性:≤±2% (連續(xù)3批,每批次取平均值) 。
控制程序:
◆ 一體化工控屏控制;
◆ 全自動一鍵式操作程序,保證鍍膜重復性;
◆ 采用excel文件編輯工藝參數(shù),軟件直接調用運行即可完成整個鍍膜工藝流程,無需額外操作;
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◆ 記錄文件可回溯,歷史數(shù)據(jù)曲線可查看,時間期限為1年內;
◆ 膜層狀態(tài)界面可查看厚度、時間、速率、功率等鍍膜信息;
◆ 關鍵部件根據(jù)實際使用情況,有維護時間顯示,即節(jié)約成本,又便于維護;
◆ 完備的互鎖功能,防止誤操作;
◆ 程序設有三級權限,便于管理及維護。
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